SeX и още нещо...

 

 
Рейтинг: 3.00
(164)
New Site
Новини
GSM Новини АРХИВ
Symbian Software
Software-Новини
GSM-Review
ФИТНЕС !!!
За ВИШИСТИ
Снимки
SMS-Globul,Vivatel,Mtel
Картички
Видео ONLINE
Оптимизирай WINDOWS
Музика
TEX.ПАНАИР 2006
Резултатите от Световното
ЧУДЕСАТА НА СВЕТА
Links
Music Idol
Всичко за пениса
Преобразени известни личности
Връзки-Банки
Татуси
Вицове
КИНО-Премиери
SMS-шаблони
Услуги
ТЕСТОВЕ
Връзки
On-line RADIO
ТВ-програма
On-line GAMES
Помощна
Зодиак
Афтографи от звезди
Fun online clips
Winamp SKINS
Wallpapers
изпрати Картичка
Фенове на сайта
Как да получите 1000 посетители на ден?
Форум
Анкети
-=Downloads=-


Мобилни телефони за мен CELERATOR България pics Реклама

Новини / Hi-tech

13 Септември 06, 00:24 / Автор: CELERATOR
Samsung разработва PRAM флаш памет




От Samsung са решили, изглежда, да не прекратяват проучванията си, докато не завладеят вниманието и съзнанието на потребителите. Този път новината е за нов вид памет, записваща много по-бързо данни, което пък ще увеличи скоростта на работа на устройствата, използващи я. Phase-change random access PRAM чипът е енергийно независим, което означава, че информацията, записана на него, ще бъде достъпна дори когато подаването на ток е преустановено. От Samsung твърдят, че новата технология ще работи около 30 пъти по-бързо от стандартната флаш памет. От компанията обещават паметта да бъде достъпна през 2008 г. В момента на пазара има два вида енергонезависими чипове - NOR и NAND. NOR технологията е по-скъпа и е подходяща за директна работа с приложения. NAND чиповете пък са по-евтини и са подходящи за работа с големи файлове. От Samsung обясняват, че PRAM чиповете използват "вертикални диоди" и "триизмерна транзисторна структура" за постигане на намален размер. Освен това, за разлика от NOR и NAND чиповете, разработката на Samsung няма нужда да изтрива старите данни, преди да запише върху тях нови.

Дир ID: 
Парола: Забравена парола
  Нов потребител

0.1355